史上最大跃进 台积电首次披露2nm关键指标

台积电线上举办2021年度技术研讨会，公布了未来新製程进展，6nm、5nm、4nm、3nm、2nm皆有新消息传来。

2nm目前为各大半导体巨头角逐的制高点，IBM甚至已经于实验室内搞定，率先公布了2nm晶片，而除了台积电、三星两大代工巨头，欧洲、日本亦野心勃勃地规划。

不同于之前世代在相同的基础架构上不断演进，台积电的2nm製程将是真正全新设计的，号称史上最大的跃进，最大特点即是会首次导入奈米层片(nanosheet)电晶体，取代目前的FinFET结构。

台积电表示，奈米层片电晶体可以更好地控制阈值电压(Vt)，于半导体领域，Vt是电路运行所需的最低电压，其任何轻微波动皆会显着影响晶片的设计、效能，自然是越小越好。台积电宣称，根据试验，奈米层片电晶体可将Vt波动降低至少15%。

目前，台积电的2nm製程刚刚进入正式研发阶段，之前消息是2023年试产，2024年量产。