PATRIOT 针对高阶玩家推出全新「VIPER STEEL DDR4-4400 16GB Kit」记忆体模组，挑选优质 SAMSUNG 8Gb B-Die 颗粒，配搭定制的高性能铝合金散热器，预设时序为 DDR4-4400 CL19-19-19-39，没有华丽的 RGB 灯效完全以性能先决。
PATRIOT VIPER STEEL DDR4-4400 记忆体模组
受惠于处理器 IMC 设计不断进步， DDR4 记忆体时脉进一步提升，PATRIOT特别针对超频玩家市场，推出全新「VIPER STEEL DDR4-4400」16GB Kit 记忆体模组，型号为「PVS416G4400C9K」，用最优质的 SAMSUNG 8Gb B-Die 记忆体颗粒，再经过人手每颗 IC 筛选流程，在风冷下可实现DDR4-4400 CL19-19-19-39。
「VIPER STEEL」系列主攻追求性能表现的玩家们，没有加入花巧的RGB 灯效浒，完全以性能先决，採用制定高性能铝合金散热器，中央加入钻石切割的 VIPER 毒蛇标誌配搭蛇纹图案，实体设计相当醒目。
此次送测的「VIPER STEEL DDR4-4400 CL19」16GB Kit，属于该系列的顶级型号，支援 INTEL XMP 2.0 记忆体技术，内建两组 XMP 2.0 Profile 设定，Profile 1 时序为 DDR4-4400 CL19-19-19-39 2T、工作电压为1.45V，Profile 2 时序为 DDR4-4266 CL19-19-19-39 2T、工作电压为1.35V，用家可因应主机板的记忆体支援能力，选择不同的XMP设定。
採用 SAMSUNG B-Die 颗粒
拆开散热器后，可以看到「VIPER STEEL DDR4-4400 CL19」16GB Kit 採用 JEDEC A0 版本 10 Layers PCB 走线设计，虽然时脉表现不及RC 2.0，但有较佳的时序表现，PCB单面合共拥有 8颗 SAMSUNG「 K4A8G085WB-BCPB 」S
SAMSUNG 记忆体颗粒的编号，开首的 K 代表 SAMSUNG Memory、4 代表是 DRAM 产品， A 代表 DDR4-SDRAM 系统记忆体、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 颗粒 ，其 Refresh 时间为 64ms，紧接编码为 5 代表 16 Banks 颗粒，W 代表工作电压採用 SSTL_12 介面， vDD、vDDQ 工作电压均为 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 颗粒。
后面「 BCPB」的 B 代表 96 ball FBGA 颗粒，採用 Halogen & Lead Free 环保制程 Flip Chip 封装， C 代表为正常商用颗粒之工作温度範围为 0ºC ~ 85ºC ，PB代表其速度为 0.938ns 即 DDR4-2133 ，规格为 CL15-15-15 ， 厂方透过筛选程序打造成 XMP 规格下 1.35V 工作电压可运作 DDR4-3600 C18 的记忆体模组産品。
效能测试︰
测试平台为ASUS Maximus XI GENE 主机板配搭 Intel Core i9-9900K 处理器，作业系统则採用 Microsoft Windows 10 ，每一组记忆体设定必要经过 AMT64 测试检定才能当测试成功。
AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 测试是现时各大记忆体模组厂商採用的测试标準，用作检出模组颗粒品质及相容性的硬体测试卡，透过 12 个不同的资料读写 Loop Pattern 测试，可以分辨出模组无法通过测试的颗粒，是工厂级的记忆体测试。
採用 SAMSUNG 8Gb B-Die 颗粒，规格为 DDR4-4400 CL19-19-19-39 2T @ 1.45V，在不加电压、XMP 时序直上 DDR4-4500 CL19 绝对不成问题，但受限于 A0 PCB Layout 时脉要超过DDR4-4600或更高，需要更大的工作电压才可。
在不调整时序及工作电压下， 1.45V 下可稳超 DDR4-4500 CL19-19-19-39 2T，当再提升时脉至 4600MHz 的话，则需要把电压提升至 1.55V，放宽时序并不会有太的时脉提升空间，但可进一步降低时序。
採用 JEDEC A0 PCB 设计，笔者建议最佳设定为DDR4-4400 CL19-19-19-39 2T @ 1.45V 用作 24 X 7 长时间使用。
PATRIOT VIPER STEEL DDR4-4400 16GB KIT
