在最近的一次演讲中，英特尔首席技术官兼技术开发总经理迈克·梅伯里(Mike Mayberry)博士阐明了该公司正在开发的产品，与纳米带/纳米线有很多关系。
这是相当技术性的，但是更深入的分析使AnandTech的Ian Cutress博士得出结论，英特尔将在2025年之前大规模生产Nanowire / Nanoribbon组件。
当然，从所谓的FinFET到Nanoribbon / Nanowire的演进是该公司将更多性能挤入甚至更小的体积中以符合摩尔定律的合乎逻辑的方法。
纳米线技术在整个半导体行业中被称为“全能门”或“ GAA”，可以横向缩放成片状，三星称其为MBCFET。台积电(TSMC)等其他竞争对手也可能也在从事纳米线项目，这意味着Nvidia，苹果，高通和AMD等公司也将从中受益。
三星的首批3nm GAAFET原型机已于今年早些时候宣布，而台积电(TSMC)推出新技术的计划似乎因当前的大流行而被推迟，可能将批量生产3nm GAAFET硅推迟到2022年。这意味着长达三年的生产。将在英特尔提高产量之前通过。
我们知道AMD的Zen 5和Zen 4架构已经在开发中，很可能是第一个使用此新节点的架构，以及Nvidia的Ampere的后继架构。
